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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:RTP快速退火爐

  • 產(chǎn)品型號:CY-RTP1200-T4-H
  • 產(chǎn)品廠商:成越科儀
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
RTP快速退火爐是我公司自主研發(fā)的功能強大的加熱設備。RTP快速退火爐采用進口紅外加熱管加熱,造型新穎結構合理,爐體和爐管可以自由滑動,可實現(xiàn)快速升降溫。
詳情介紹:

RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作.

 RTP快速退火爐主要功能和特點:

1、更短的工藝時間;

2、更快的升、降溫速率;

3、處理基片時雜質(zhì)運動zui??;

4、減少顆粒沾污;

5、由于腔體體積不大,氣氛純度容易控制.


RTP快速退火爐應用領域:

1、活化離子注入雜質(zhì),形成超薄結合。離子注入是半導體制造工藝中非常重要的一道工序,是用來把改變導電率的攙雜材料注入半導體晶片的標準工藝技術。

2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄,采用傳統(tǒng)的技術即通過降低氧化反應的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題,生長溫度的降低會導致固定電荷和界面密度增加,影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面,可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

RTP快速退火爐技術參數(shù):

產(chǎn)品名稱

RTP快速退火爐【管式】

產(chǎn)品型號

CY-RTP1200-T4-H

有效尺寸

Φ100mm

基片尺寸

4英寸

升溫速率

B型為標準配置:≦200/S,供電要求:AC380V/60Hz,功率18KW

降溫速率

200℃以上≤25min

控溫模式

可預設曲線,按流程控溫

控溫精度

±1

工作溫度

1000

測溫位置

測溫點置于樣品處

密封法蘭

水冷式

工作真空

10-3Pa105Pa均可

可通氣氛

可通:氮氣,氬氣,氧氣等非危險、非腐蝕氣體

真空測量

標準配置:電阻規(guī),量程1Pa105Pa

選裝配置:復合真空計,量程10-5Pa105Pa

真空系統(tǒng)

標準配置:VRD-4真空泵1

供電要求

要求配備32A2P空氣開關,電源電壓AC380V/60Hz

水冷機組

水箱容量9L,zui大揚程10m

整機尺寸

1200mm x 610mm x 570mm

包裝尺寸

1475*700*800

包裝重量

180Kg

隨機配件

1、說明書1

2、隨機配件1

3、配件清單1


豫公網(wǎng)安備 41019702002438號

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