CVD（化學氣相沉積）氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術，通過在高溫下將氣體反應物質與基底表面反應，形成薄膜。

1. 反應室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應溫度和材料。

2. 反應氣體：根據(jù)所需的薄膜材料和結構，可以使用不同的反應氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。

3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應物質和反應條件。

4. 反應時間：根據(jù)所需的薄膜厚度和質量，反應時間可以從幾分鐘到幾小時不等。

5. 基底材料：CVD系統(tǒng)可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。

6. 應用領域：CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應用于材料科學和工程領域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導體、光電子、能源、生物醫(yī)學等領域都有重要應用。

技術參數(shù):

產(chǎn)品名稱	CVD化學氣相沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品型號	CY-PECVD100-1200-Q
頻電源	信號頻率	13.56MHz±0.005%
	功率輸出	0~300W
	*大反射功率	100W
	反射功率	<3W (*大功率時)
	功率穩(wěn)定性	±0.1%
管式爐	管子材質	高純石英
	管子外徑	100mm
	爐膛長度	440mm
	加熱區(qū)長度	200mm+200mm (雙溫區(qū))
	連續(xù)工作溫度	≦1100℃
	溫控精度	±1℃
	溫控模式	30段程序控溫
	顯示模式	LCD觸摸屏
	密封方式	304 不銹鋼真空法蘭
供氣系統(tǒng)	通道數(shù)	6通道
	測量單元	質量流量計
	測量范圍	A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2
		B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4
		C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4
		D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2
		E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3
		F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar
	測量精度	±1.5%F.S
	工作壓差	-0.15Mpa~0.15Mpa
	接頭規(guī)格	1/4" 卡套接頭
	氣體混合罐	1L
真空系統(tǒng)	機械泵	雙極旋片泵
	抽速	1.1L/S
	真空測量	電阻規(guī)
	極限真空	0.1Pa
	抽氣接口	KF16
滑　　軌	爐體可以滑動，實現(xiàn)快速降溫
供電電源	AC220V 50Hz